臺積電已經(jīng)多次明確,3nm將在下半年規(guī)模投產(chǎn)。
不過,臺積電的3nm依然延續(xù)的是finfet(鰭式場效應(yīng))晶體管結(jié)構(gòu),而非三星那套難度更高的gaa晶體管。然而,臺積電明顯道行更深,知道當(dāng)前制程節(jié)點(diǎn)命名混亂,誰的良率高顯然更能占得先機(jī)。
而接下來,臺積電似乎不打算糊弄了,甚至要繞過2nm,直奔1.4mm。
bk報(bào)道稱,臺積電3nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在6月份全面轉(zhuǎn)投1.4nm節(jié)點(diǎn)的開發(fā)工作。
對手三星在去年的代工會議上曾預(yù)期,2025年量產(chǎn)2nm,沒想到又一次被臺積電“背刺”了。
至于同樣雄心勃勃的intel,則打算2024年下半年生產(chǎn)1.8nm工藝產(chǎn)品。一場關(guān)乎摩爾定律榮耀的制程“軍備競賽”,再度拉開序幕了。
原標(biāo)題:背刺三星 臺積電繞過2nm:直奔1.4nm去了