在處理各種形式的emi時(shí)，必須具體問題具體分析。在數(shù)字電路的pcb設(shè)計(jì)中，可以從下列幾個(gè)方面進(jìn)行emi控制。
一、器件選型
在進(jìn)行emi設(shè)計(jì)時(shí)，首先要考慮選用器件的速率。任何電路，如果把上升時(shí)間為5ns的器件換成上升時(shí)間為2.5ns的器件，emi會(huì)提高約4倍。emi的輻射強(qiáng)度與頻率的平方成正比，最高emi頻率（fknee）也稱為emi發(fā)射帶寬，它是信號上升時(shí)間而不是信號頻率的函數(shù)：fknee =0.35/tr (其中tr為器件的信號上升時(shí)間)
這種輻射型emi的頻率范圍為30mhz到幾個(gè)ghz，在這個(gè)頻段上，波長很短，電路板上即使非常短的布線也可能成為發(fā)射天線。當(dāng)emi較高時(shí),電路容易喪失正常的功能。因此,在器件選型上，在保證電路性能要求的前提下,應(yīng)盡量使用低速芯片，采用合適的驅(qū)動(dòng)/接收電路。另外，由于器件的引線管腳都具有寄生電感和寄生電容，因此在高速設(shè)計(jì)中，器件封裝形式對信號的影響也是不可忽視的，因?yàn)樗彩钱a(chǎn)生emi輻射的重要因素。一般地,貼片器件的寄生參數(shù)小于插裝器件，bga封裝的寄生參數(shù)小于qfp封裝。
二、連接器的選擇與信號端子定義
連接器是高速信號傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié),也是易產(chǎn)生emi的薄弱環(huán)節(jié)。在連接器的端子設(shè)計(jì)上可多安排地針,減小信號與地的間距,減小連接器中產(chǎn)生輻射的有效信號環(huán)路面積,提供低阻抗回流通路。必要時(shí),要考慮將一些關(guān)鍵信號用地針隔離。
三、疊層設(shè)計(jì)
在成本許可的前提下，增加地線層數(shù)量，將信號層緊鄰地平面層可以減少emi輻射。對于高速pcb，電源層和地線層緊鄰耦合，可降低電源阻抗，從而降低emi。
四、布局
根據(jù)信號電流流向，進(jìn)行合理的布局，可減小信號間的干擾。合理布局是控制emi的關(guān)鍵。布局的基本原則是：
●模擬信號易受數(shù)字信號的干擾,模擬電路應(yīng)與數(shù)字電路隔開；
●時(shí)鐘線是主要的干擾和輻射源,要遠(yuǎn)離敏感電路,并使時(shí)鐘走線最短；
●大電流、大功耗電路盡量避免布置在板中心區(qū)域，同時(shí)應(yīng)考慮散熱和輻射的影響；
●連接器盡量安排在板的一邊，并遠(yuǎn)離高頻電路；
●輸入/輸出電路靠近相應(yīng)連接器,去耦電容靠近相應(yīng)電源管腳；
●充分考慮布局對電源分割的可行性，多電源器件要跨在電源分割區(qū)域邊界布放，以有效降低平面分割對emi的影響；
●回流平面（路徑）不分割。
五、布線
●阻抗控制:高速信號線會(huì)呈現(xiàn)傳輸線的特性,需要進(jìn)行阻抗控制，以避免信號的反射、過沖和振鈴，降低emi輻射。
●將信號進(jìn)行分類，按照不同信號（模擬信號、時(shí)鐘信號、i/o信號、總線、電源等）的emi輻射強(qiáng)度及敏感程度，使干擾源與敏感系統(tǒng)盡可能分離，減小耦合。
●嚴(yán)格控制時(shí)鐘信號(特別是高速時(shí)鐘信號)的走線長度、過孔數(shù)、跨分割區(qū)、端接、布線層、回流路徑等。
●信號環(huán)路，即信號流出至信號流入形成的回路，是pcb設(shè)計(jì)中emi控制的關(guān)鍵，在布線時(shí)必須加以控制。要了解每一關(guān)鍵信號的流向，對于關(guān)鍵信號要靠近回流路徑布線,確保其環(huán)路面積最小。
對低頻信號,要使電流流經(jīng)電阻最小的路徑；對高頻信號,要使高頻電流流經(jīng)電感最小的路徑,而非電阻最小的路徑(見圖1)。對于差模輻射,emi輻射強(qiáng)度(e)正比于電流、電流環(huán)路的面積以及頻率的平方。(其中i是電流、a是環(huán)路面積、f是頻率、r是到環(huán)路中心的距離,k為常數(shù)。)
因此當(dāng)最小電感回流路徑恰好在信號導(dǎo)線下面時(shí),可以減小電流環(huán)路面積,從而減少emi輻射能量。
●關(guān)鍵信號不得跨越分割區(qū)域。
●高速差分信號走線盡可能采用緊耦合方式。
●確保帶狀線、微帶線及其參考平面符合要求。
●去耦電容的引出線應(yīng)短而寬。
●所有信號走線應(yīng)盡量遠(yuǎn)離板邊緣。
●對于多點(diǎn)連接網(wǎng)絡(luò)，選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以減小信 號反射，降低emi輻射。
六、電源平面的分割處理
●電源層的分割
在一個(gè)主電源平面上有一個(gè)或多個(gè)子電源時(shí),要保證各電源區(qū)域的連貫性及足夠的銅箔寬度。分割線不必太寬,一般為20～50mil線寬即可,以減少縫隙輻射。
●地線層的分割
地平面層應(yīng)保持完整性,避免分割。若必須分割，要區(qū)分?jǐn)?shù)字地、模擬地和噪聲地,并在出口處通過一個(gè)公共接地點(diǎn)與外部地相連。
為了減小電源的邊緣輻射,電源/地平面應(yīng)遵循20h設(shè)計(jì)原則，即地平面尺寸比電源平面尺寸大20h（見圖2），這樣邊緣場輻射強(qiáng)度可下降70% 。
七、emi的其它控制手段
1. 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
●設(shè)計(jì)低阻抗電源系統(tǒng)，確保在低于fknee頻率范圍內(nèi)的電源分配系統(tǒng)的阻抗低于目標(biāo)阻抗。
●使用濾波器，控制傳導(dǎo)干擾。
●電源去耦。在emi設(shè)計(jì)中,提供合理的去耦電容，能使芯片可靠工作，并降低電源中的高頻噪聲，減少emi。由于導(dǎo)線電感及其它寄生參數(shù)的影響，電源及其供電導(dǎo)線響應(yīng)速度慢，從而會(huì)使高速電路中驅(qū)動(dòng)器所需要的瞬時(shí)電流不足。合理地設(shè)計(jì)旁路或去耦電容以及電源層的分布電容,能在電源響應(yīng)之前，利用電容的儲(chǔ)能作用迅速為器件提供電流。正確的電容去耦可以提供一個(gè)低阻抗電源路徑，這是降低共模 emi的關(guān)鍵。
2. 接地
接地設(shè)計(jì)是減少整板e(cuò)mi的關(guān)鍵。
●確定采用單點(diǎn)接地、多點(diǎn)接地或者混合接地方式。
●數(shù)字地、模擬地、噪聲地要分開,并確定一個(gè)合適的公共接地點(diǎn)。
●雙面板設(shè)計(jì)若無地線層,則合理設(shè)計(jì)地線網(wǎng)格很重要,應(yīng)保證地線寬度>電源線寬度>信號線寬度。也可采用大面積鋪地的方式,但要注意在同一層上的大面積地的連貫性要好。
●對于多層板設(shè)計(jì),應(yīng)確保有地平面層,減小共地阻抗。
3. 串接阻尼電阻
在電路時(shí)序要求允許的前提下，抑制干擾源的基本技術(shù)是在關(guān)鍵信號輸出端串入小阻值的電阻，通常采用22～33ω的電阻。這些輸出端串聯(lián)小電阻能減慢上升/下降時(shí)間并能使過沖及下沖信號變得較平滑，從而減小輸出波形的高頻諧波幅度，達(dá)到有效地抑制emi的目的。
4．屏蔽
●關(guān)鍵器件可以使用emi屏蔽材料或屏蔽網(wǎng)。
●對關(guān)鍵信號的屏蔽，可以設(shè)計(jì)成帶狀線或在關(guān)鍵信號的兩側(cè)以地線相隔離。
5．?dāng)U頻
擴(kuò)展頻譜（擴(kuò)頻）的方法是一種新的降低emi的有效方法。擴(kuò)展頻譜是將信號進(jìn)行調(diào)制,把信號能量擴(kuò)展到一個(gè)比較寬的頻率范圍上。實(shí)際上,該方法是對時(shí)鐘信號的一種受控的調(diào)制,這種方法不會(huì)明顯增加時(shí)鐘信號的抖動(dòng)。實(shí)際應(yīng)用證明擴(kuò)展頻譜技術(shù)是有效的,可以將輻射降低7到20db。
6．emi分析與測試
●仿真分析
完成pcb布線后,可以利用em i仿真軟件及專家系統(tǒng)進(jìn)行仿真分析,模擬emc/emi環(huán)境，以評估產(chǎn)品是否滿足相關(guān)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求。
●掃描測試
利用電磁輻射掃描儀,對裝聯(lián)并上電后的機(jī)盤掃描,得到pcb中電磁場分布圖(如圖3,圖中紅色、綠色、青白色區(qū)域表示電磁輻射能量由低到高),根據(jù)測試結(jié)果改進(jìn)pcb設(shè)計(jì)。