一體化地埋式醫(yī)院污水處理裝置
魯盛一體化地埋式醫(yī)療廢水處理設(shè)施，包括一體化醫(yī)療廢水處理本體、第1廢水處理箱、水解酸化池、一級接觸氧化池、第二廢水處理箱、污泥池、mbr池和二級接觸氧化池，所述一體化醫(yī)療廢水處理本體包括第1廢水處理箱和第二廢水處理箱，所述第1廢水處理箱上的第二法蘭接管和第四法蘭接管分別通過第1連接管和第二連接管與第二廢水處理箱上的第1法蘭接管和第三法蘭接管連接，所述第1廢水處理箱內(nèi)部設(shè)置有水解酸化池和一級接觸氧化池。本實用新型采用了膜法的mbr工藝，解決了現(xiàn)有的現(xiàn)有工藝處理醫(yī)療廢水存在一定的問題和隱患，本實用新型可以達到*的排放標準，實現(xiàn)穩(wěn)定的達標排放，占地面積小，布置簡單靈活。
一體化地埋式醫(yī)院污水處理裝置技術(shù)方案
地埋式一體化醫(yī)療廢水處理設(shè)施，包括一體化醫(yī)療廢水處理本體、第1廢水處理箱、水解酸化池、一級接觸氧化池、第二廢水處理箱、污泥池、mbr池和二級接觸氧化池，所述一體化醫(yī)療廢水處理本體包括第1廢水處理箱和第二廢水處理箱，所述第1廢水處理箱上的第二法蘭接管和第四法蘭接管分別通過第1連接管和第二連接管與第二廢水處理箱上的第1法蘭接管和第三法蘭接管連接，所述第1廢水處理箱內(nèi)部設(shè)置有水解酸化池和一級接觸氧化池，且水解酸化池位于一級接觸氧化池前端，所述第二廢水處理箱內(nèi)部設(shè)置有污泥池、mbr池和二級接觸氧化池，且污泥池、mbr池和二級接觸氧化池從后到前依次設(shè)置。
優(yōu)選的，所述第1法蘭接管位于一級接觸氧化池左側(cè)壁上。
優(yōu)選的，所述第二法蘭接管位于二級接觸氧化池右側(cè)壁上。
優(yōu)選的，所述第三法蘭接管位于水解酸化池左側(cè)壁上。
優(yōu)選的，所述第四法蘭接管位于mbr池右側(cè)壁上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：本實用新型解決了現(xiàn)有的現(xiàn)有工藝處理醫(yī)療廢水存在一定的問題和隱患，通過建設(shè)土建的調(diào)節(jié)池和消毒池的方式，可以利用既有污水處理站的預(yù)處理設(shè)施和消毒系統(tǒng);建設(shè)速度快;安裝周期短;本實用新型基本上全地面建設(shè)，對醫(yī)院的影響較小，可以基本上不涉及地下管網(wǎng)的改造;有針對醫(yī)療廢水的專門強化設(shè)備，對醫(yī)療廢水的處理出水好于普通的土建形式;操作方便，地面建設(shè)，方便運行觀察運行狀況和操作管理;試運轉(zhuǎn)、調(diào)試時間短，建設(shè)完成就可以實現(xiàn)達標排放;可以實現(xiàn)全部監(jiān)控指標的達標排放(gb18466-2005綜合醫(yī)療機構(gòu)污水排放標準)，不存在環(huán)保的隱患;布置靈活，可以分散放置，可以方便的擴充處理能力;自動化程度高，可避免人員操作失誤帶來的出水水質(zhì)波動，集成度高，容積負荷大，占地面積小;剩余污泥量小，減少污泥處理費用;產(chǎn)水的水質(zhì)有保證，可以在保持常態(tài)化運行時，隨時檢測達標。
流程步驟包括：
隔油池采用斜板隔油，平流沉淀池中加設(shè)斜板，斜板傾角30～45度，氣浮池采用廢水在隔油池的停留時間為10～20min，氣浮池處理的時間為0.5～1小時;
廢水在光電催化氧化裝置中停留時間為3～5小時;
光電催化氧化裝置裝填催化劑于反應(yīng)器底部及極*催化劑采用氧化鋁或二氧化硅中的一種或多種為載體的，表面負荷*、硫化鎘、氧化鐵、二 氧化錳中的一種或多種物質(zhì)構(gòu)成，催化劑形狀為蜂窩多孔結(jié)構(gòu);
光電催化氧化裝置中添加1g/l～3g/l的鹽，鹽由nacl，na2so4，na2co3，nahco3中的一種或多種物質(zhì)構(gòu)成;
光電催化氧化裝置中電極材料采用鈦基材表面固載貴金屬物質(zhì)制備而成，貴金屬物質(zhì)采用鉑、釕、銥、銣、鋯金屬氧化物中的一種或多種物質(zhì)構(gòu)成;
光電催化氧化裝置中光源采用波長為200～400nm的高壓汞燈、中壓汞燈及紫外燈中的一種或多種。
曝氣池運行管理——污泥膨脹
1、引起活性污泥中絲狀菌膨脹的環(huán)境條件有：
1.進水中有機物質(zhì)太少，曝氣池內(nèi)f/m低，導(dǎo)致微生物食料不足。
2.進水中氮、磷等營養(yǎng)物質(zhì)不足。
3.ph太低，不利于微生物生長。
4.曝氣池混合液內(nèi)溶解氧太低，不能滿足微生物需要。
5.進水水質(zhì)或水量波動太大，對微生物造成沖擊。
6.進入曝氣池的污水因“腐化”產(chǎn)生出較多的h2s(超過1-2mg/l)時，還會導(dǎo)致絲狀硫磺菌的過量繁殖，使絲硫磺菌污泥膨脹。
7.絲狀菌大量繁殖的適宜溫度在25℃～30℃，因而夏季易發(fā)生絲狀菌污泥膨脹。