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        SLC固態(tài)硬盤(pán),SLC的固態(tài)硬盤(pán)優(yōu)勢(shì)

        發(fā)布時(shí)間:2024-05-31
        1,slc的固態(tài)硬盤(pán)優(yōu)勢(shì)2,ssd固態(tài)硬盤(pán)slc和mlc有什么差別嗎3,ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么區(qū)別選4,nand slc ssd是什么5,固態(tài)硬盤(pán)ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么1,slc的固態(tài)硬盤(pán)優(yōu)勢(shì) 閃存顆粒是決定ssd使用壽命的重要參數(shù),slc最好價(jià)格最高,使用壽命最長(zhǎng),多見(jiàn)于企業(yè)級(jí)產(chǎn)品。tlc最差價(jià)格也最便宜,mlc居中是消費(fèi)級(jí)ssd中最常用的類型,閃存顆粒的使用壽命是指能夠達(dá)到的可完全擦寫(xiě)的次數(shù),單位為p/e ,slc使用壽命可以達(dá)到10萬(wàn)次,mlc可以達(dá)到3000-1萬(wàn)次,tlc只能達(dá)到500次。slc(single level cell 單層單元)和mlc(multi-level cell多層單元),現(xiàn)在大多是mlc的芯片,slc買不到的,mlc芯片的固態(tài)硬盤(pán)大多都保三年,mlc芯片 64g的400左右,120-128g 的700左右
        2,ssd固態(tài)硬盤(pán)slc和mlc有什么差別嗎 mlc與slc的區(qū)別 目前ssd硬盤(pán)使用兩種形式的nand閃存:?jiǎn)渭?jí)單元(slc)和多級(jí)單元(mlc)。兩者之間的差額是每單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量,slc每單元存儲(chǔ) 1bit 而mlc每單元存儲(chǔ) 2 bit。關(guān)鍵在于,slc和mlc占據(jù)了相同大小的芯片面積。因此,在同樣的價(jià)格下,mlc可以有兩倍容量的效果。 slc只有兩個(gè)狀態(tài)(0或1)。而mlc卻有四個(gè)(00,01,10 ,11),因此需要花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)訪問(wèn)。所以mlc的速寫(xiě)速度比slc要慢,但在相同大小下mlc可達(dá)到的容量理論上高出一倍,價(jià)格上mlc也是slc的一半左右。 作為網(wǎng)吧服務(wù)器的話可以用兩塊威剛 sx900 固態(tài)硬盤(pán)搭配intel z77或x79主板,并使用主板支持的raid 0+1功能組成陣列,既能滿足速度要求,又能保證穩(wěn)定性,比slc固態(tài)硬盤(pán)成本低性能好。
        3,ssd里的slc3 bit mlcmlctlc是什么意思有什么區(qū)別選 從貴到便宜是slc、mlc、tlc(也叫3 bit mlc),壽命從長(zhǎng)到短也是這個(gè)順序。現(xiàn)在個(gè)人家用也就mlc和tlc了,壽命都能滿足,tlc的便宜一些。不過(guò)選擇ssd應(yīng)該同時(shí)注重品牌、銷量、性能、兼容性等等,不能只看芯片。slc = single-level cell ,即1bit/cell,速度快壽命長(zhǎng),價(jià)格超貴(約mlc 3倍以上的價(jià)格),約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命mlc = multi-level cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價(jià)格一般,約3000---10000次擦寫(xiě)壽命tlc = trinary-level cell,即3bit/cell,也有flash廠家叫8lc,速度慢壽命短,價(jià)格便宜,約500-1000次擦寫(xiě)壽命。3 bit mlc是三星的叫法,理論上可以視為tlc。三星由于在半導(dǎo)體上游的優(yōu)勢(shì)和先進(jìn)的技術(shù),所以三星的3 bit mlc比一般的tlc壽命要好得多!請(qǐng)注意,以上只是純理論,看看就行了?。?!至于選擇什么樣的ssd,要從ssd的發(fā)展來(lái)看。最開(kāi)始的ssd是slc芯片,壽命高但是價(jià)格更高,根本就沒(méi)法普及;后來(lái)mlc芯片的ssd上市,因?yàn)閮r(jià)格便宜了,所以一般家庭用戶用的起了,當(dāng)然相比slc芯片,mlc的性能也不錯(cuò),所以ssd在這個(gè)時(shí)期得到了飛速的發(fā)展,其中最著名的就是三星的830、美光的m4;從2012年開(kāi)始,一些技術(shù)牛的廠商開(kāi)始嘗試tlc芯片的ssd,代表性的產(chǎn)品就是840,因?yàn)樾阅懿诲e(cuò),壽命夠用
        4,nand slc ssd是什么 mlc的理論可寫(xiě)入次數(shù)僅為1萬(wàn)次左右,slc的可達(dá)到10萬(wàn)次左右。意思就是你可以用那種芯片的u盤(pán)復(fù)制、粘貼、刪除數(shù)據(jù)等次數(shù)1萬(wàn)或10萬(wàn)次,也就是他們的理論壽命。各有各的優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)。日立企業(yè)級(jí)ssd(固態(tài)硬盤(pán))。想想就可以了意淫下吧!任何一款企業(yè)級(jí)ssd的價(jià)格都是足以讓我等仰望的!nand是目前閃存顆粒用的技術(shù),ssd里面的存儲(chǔ)顆粒就是一顆顆nand flash(閃存)slc表示一種閃存顆粒的類型,區(qū)別是最小存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位數(shù)量。如果最小存儲(chǔ)單元只區(qū)分2個(gè)電位(高低電位),等于只能存儲(chǔ)0或1,即1位(1bit)數(shù)據(jù)。這種類型的nand閃存就叫做slc。以此類推,還有mlc:最小存儲(chǔ)單元區(qū)分4個(gè)電位,即00,01,10,11。tlc:區(qū)分8個(gè)電位。同樣一個(gè)最小的存儲(chǔ)單元,區(qū)分的電位越多,存儲(chǔ)密度越大。假設(shè)一顆slc nand是1gb的話,做成mlc就是2gb,tlc就是3gb。所以slc會(huì)比后面的貴得多,容量也不容易做大。但slc好處是:區(qū)分的電位越多,每個(gè)電位間區(qū)別越小,讀寫(xiě)速度越慢(難以識(shí)別和寫(xiě)入),壽命也越短(損耗一點(diǎn)點(diǎn)就錯(cuò)位了)。所以slc比mlc、tlc速度快,可擦寫(xiě)次數(shù)更多。目前的情況是,slc一般用于企業(yè)級(jí)ssd,以及intel智能響應(yīng)技術(shù)的加速盤(pán)。mlc一般用于桌面級(jí)ssd。tlc的ssd因?yàn)榧夹g(shù)和可靠性的原因幾乎還沒(méi)有。但tlc則已經(jīng)幾乎統(tǒng)治了u盤(pán)和存儲(chǔ)卡市場(chǎng)(因?yàn)閮r(jià)格戰(zhàn)太厲害,利潤(rùn)太低,沒(méi)人愿意上好的nand)。所以除非是高速的存儲(chǔ)卡,u盤(pán)和存儲(chǔ)卡存數(shù)據(jù)是很不可靠的哦。 5,固態(tài)硬盤(pán)ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么 構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存,slc、mlc和tlc三者都是閃存的類型。1、slc = single-level cell ,即1bit/cell,速度快壽命長(zhǎng),價(jià)格超貴(約mlc 3倍以上的價(jià)格),約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。2、mlc = multi-level cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價(jià)格一般,約3000—10000次擦寫(xiě)壽命。3、tlc = trinary-level cell,即3bit/cell,也有flash廠家叫8lc,速度慢壽命短,價(jià)格便宜,約500次擦寫(xiě)壽命,目前還沒(méi)有廠家能做到1000次。需要說(shuō)明的閃存的壽命指的是寫(xiě)入(擦寫(xiě))的次數(shù),不是讀出的次數(shù),因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存,有不少人認(rèn)為單純看主控就可以知道ssd的性能,其實(shí)這是錯(cuò)誤的,就像某些廠商的產(chǎn)品線那樣,用的都是sandforce sf-2281主控,但是通過(guò)不同的閃存與固件搭配劃分出很多不同層次的產(chǎn)品,相互之間性能差異比較大,可見(jiàn)ssd所用的固件與閃存種類都是對(duì)其性能有相當(dāng)大影響的。tlc是閃存一種類型,全稱為triple-level cell tlc芯片技術(shù)是mlc和tlc技術(shù)的延伸。最早期nand flash技術(shù)架構(gòu)是slc(single-level cell),原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到mlc(multi-level cell)技術(shù)接棒后,架構(gòu)演進(jìn)為1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元。slc、mlc、tlc閃存芯片的區(qū)別:slc = single-level cell ,即1bit/cell,速度快壽命長(zhǎng),價(jià)格超貴(約mlc 3倍以上的價(jià)格),約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命mlc = multi-level cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價(jià)格一般,約3000---10000次擦寫(xiě)壽命tlc = trinary-level cell,即3bit/cell,也有flash廠家叫8lc,速度慢壽命短,價(jià)格便宜,約500次擦寫(xiě)壽命,目前還沒(méi)有廠家能做到1000次。目前,安德旺科技生產(chǎn)的指紋u盤(pán)產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星mlc中的原裝a級(jí)芯片。讀寫(xiě)速度:采用h2testw v1.4測(cè)試,三星mlc寫(xiě)入速度: 4.28-5.59 mbyte/s,讀取速度: 12.2-12.9 mbyte/s。三星slc寫(xiě)入速度: 8.5mbyte/s,讀取速度: 14.3mbyte/s。需要說(shuō)明的閃存的壽命指的是寫(xiě)入(擦寫(xiě))的次數(shù),不是讀出的次數(shù),因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大。面是slc、mlc、tlc三代閃存的壽命差異slc 利用正、負(fù)兩種電荷 一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息,約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。mlc 利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息,約一萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命,slc-mlc【容量大了一倍,壽命縮短為1/10】。tlc 利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息,約500-1000次擦寫(xiě)壽命,mlc-tlc【容量大了1/2倍,壽命縮短為1/20】。閃存產(chǎn)品壽命越來(lái)越短,現(xiàn)在市場(chǎng)上已經(jīng)有tlc閃存做的產(chǎn)品了鑒于slc和mlc或tlc閃存壽命差異太大強(qiáng)烈要求數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)商在其使用閃存的產(chǎn)品上標(biāo)明是slc和mlc或tlc閃存產(chǎn)品許多人對(duì)閃存的slc和mlc區(qū)分不清。就拿目前熱銷的mp3隨身聽(tīng)來(lái)說(shuō),是買slc還是mlc閃存芯片的呢?在這里先告訴大家,如果你對(duì)容量要求不高,但是對(duì)機(jī)器質(zhì)量、數(shù)據(jù)的安全性、機(jī)器壽命等方面要求較高,那么slc閃存芯片的首選。但是大容量的slc閃存芯片成本要比mlc閃存芯片高很多,所以目前2g以上的大容量,低價(jià)格的mp3多是采用mlc閃存芯片。大容量、低價(jià)格的mlc閃存自然是受大家的青睞,但是其固有的缺點(diǎn),也不得不讓我們考慮一番。什么是mlc?mlc英文全稱(multi level cell——mlc)即多層式儲(chǔ)存。主要由東芝、renesas、三星使用。英特爾(intel)在1997年9月最先開(kāi)發(fā)成功mlc,其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)floatinggate(閃存存儲(chǔ)單元中存放電荷的部分),然后利用不同電位(level)的電荷,通過(guò)內(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫(xiě)。mlc通過(guò)使用大量的電壓等級(jí),每個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較大。
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