在硅或鍺的晶體中摻入五價元素雜質(zhì)而形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體，稱為n型半導(dǎo)體。
在n型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是電子（由摻雜產(chǎn)生），空穴為少數(shù)載流子（由本征激發(fā)產(chǎn)生）。
在硅或鍺的晶體中摻入五價元素，它的五個價電子中有四個與周圍的硅原子結(jié)成共價鍵后，多出一個價電子。在室溫下，原子對于這個多余的價電子束縛力較弱，它很容易被激發(fā)而成為自由電子。這樣，雜質(zhì)原子就變成帶正電荷的離子。由于雜質(zhì)原子可以提供電子，故稱為施主原子。這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中自由電子的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于同一溫度下本征半導(dǎo)體中自由電子的濃度，這就大大增強(qiáng)了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。