本指南目的本章為應(yīng)用指南的第三部分，主要闡述能量轉(zhuǎn)換裝置相關(guān)的電化學(xué)技術(shù)。本章主要討論的是電化學(xué)阻抗譜基礎(chǔ)（eis）知識(shí)并且將通過在單電化學(xué)電容和堆棧上的測(cè)試介紹gamry的電化學(xué)阻抗技術(shù)。
簡(jiǎn)介本系列指南的*部分將討論電容器理論基礎(chǔ)并且闡述集中用于研究電化學(xué)電容的幾種技術(shù)手段。
第二部分主要解釋gamry電化學(xué)能量pwr800軟件在能量轉(zhuǎn)換裝置循環(huán)測(cè)試上的使用。闡述了單電池和堆棧在循環(huán)過程中不同設(shè)置參數(shù)的影響。
實(shí)驗(yàn)本指南中描述的幾種電化學(xué)阻抗譜技術(shù)（eis）可以在gamry技術(shù)中完成。為此，測(cè)試在如下幾種電容進(jìn)行： nesscap公司的3f雙電層電容（edlcs）（p/n eshsr 0003c0 002r7）和5f雙電層電容（edlcs）（p/n eshsr 0005c0 002r7），maxwell公司的650f雙電層電容（p/n bcap0650 p270）以及taiyo yuden公司的1f pas贗電容（p/n pas0815lr2r3105）。pas是一種沉積在電極上的導(dǎo)電半導(dǎo)體多并苯半導(dǎo)體首字母的縮寫。
本指南中的數(shù)據(jù)均采用gamry eis300和reference 3000進(jìn)行記錄。所有繪圖都由gamry電化學(xué)分析軟件echem analyst生成和評(píng)價(jià)。
電化學(xué)阻抗譜電化學(xué)阻抗譜是在研究電化學(xué)體系中一種被廣泛應(yīng)用的技術(shù)。eis的優(yōu)勢(shì)在于測(cè)試對(duì)研究體系無損。這使得進(jìn)一步電化學(xué)測(cè)量和后期研究成為可能。
電化學(xué)阻抗譜是一種測(cè)量電化學(xué)電容中等效串聯(lián)電阻常用的方法。其同樣可以用來建立模型描述未知的反應(yīng)機(jī)理。采用這些模型也可以研究電容的非理想性。
一般來說，在電化學(xué)阻抗譜實(shí)驗(yàn)過程中需要給研究體系施加一個(gè)正弦交流激勵(lì)信號(hào)，并且對(duì)交流響應(yīng)進(jìn)行測(cè)量。輸入信號(hào)的頻率在測(cè)試過程中是變化的。終，計(jì)算得到體系的阻抗z，表示為大小z0，單位是歐姆（ω）以及相移φ，單位是度（°）。
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電化學(xué)阻抗測(cè)試模式
gamryeis300軟件可以以如下四種不同模式測(cè)試阻抗譜：
? 恒電位? 恒電流? 復(fù)合模式? 優(yōu)化阻抗在恒電壓模式中，施加直流電壓與一個(gè)交流電壓信號(hào)疊加。信號(hào)的頻率在實(shí)驗(yàn)過程中是變化的，并且測(cè)量了相敏交流電流響應(yīng)。
恒電流模式與恒壓模式類似。與之相反的是，在實(shí)驗(yàn)過程中施加了一個(gè)與交流電流信號(hào)疊加的直流電流，并且測(cè)量了相敏交流電壓響應(yīng)。
復(fù)合eis同樣采用恒流電池控制。此外，為了保持幾乎恒定的交流電勢(shì)響應(yīng)，對(duì)交流電流的振幅進(jìn)行調(diào)節(jié)。
在研究中恒壓模式常見。然而，在施加直流電壓中微小的出錯(cuò)都會(huì)引起低阻抗電池中巨大的直流電流，從而破壞電池。因此，在低阻抗電池中更傾向于采用恒流模式和混合模式eis。
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優(yōu)化eis是一種與上述方法都不同的多重正弦波技術(shù)。不同于只有單頻率的單正弦波形，該技術(shù)同時(shí)對(duì)測(cè)試體系施加以幾個(gè)頻率的多個(gè)波形。因此電化學(xué)阻抗譜測(cè)試可以簡(jiǎn)化為四合一。優(yōu)化電化學(xué)阻抗譜可以以恒壓或者恒流模式進(jìn)行。
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電化學(xué)電容的randle模型<
理想電容器實(shí)際上是不存在的。在實(shí)際情況中，各種因素會(huì)導(dǎo)致體系的缺陷。因此，需要采用不同的模型對(duì)研究體系進(jìn)行描述。
用于擬合電化學(xué)電容電化學(xué)阻抗譜常用和簡(jiǎn)單的模型是簡(jiǎn)化的randle模型，如圖1所示：
圖1. 簡(jiǎn)化randle模型的示意圖。
模型中的電路原件為：
?esr等效串聯(lián)電阻rleakage漏電阻c理想電容esr在模型中與理想電容串聯(lián)。來自于電解液，電極和電路接觸的電阻都?xì)w入等效串聯(lián)電阻中。很小的esr會(huì)產(chǎn)生更好的能量轉(zhuǎn)化裝置性能。
與之相反，很小的漏電阻rleakage會(huì)導(dǎo)致更高的漏電流，是一個(gè)充完電的電容在沒有外部加載連接的情況下自放電的主要原因。漏電阻在模型中于c并聯(lián)。
如圖2所示為頻率區(qū)間為10khz到1μhz時(shí)randle模型的bode圖。擬合參數(shù)都是電化學(xué)電容的典型值。
esr 100mωrleakage100kωc 1f
圖2.randle模型的bode圖。（圓圈）大小，（十字）相位。
典型randle模型的bode譜具有如下三個(gè)區(qū)域
? 10hz以上，大小和相位分別接近100mω和0°。esr控制該區(qū)域。? 100μhz到100mhz之間，電容控制阻抗。大小對(duì)頻率作圖為線性（在log bode中），此時(shí)斜率為1，相角接近90°。? 10μhz以下，阻抗由于漏電阻的控制，開始朝著電阻行為方向轉(zhuǎn)變。此轉(zhuǎn)變甚至到1μhz時(shí)都未完成。實(shí)際裝置的電化學(xué)阻抗譜很少提供大量關(guān)于漏電阻的信息，因?yàn)榭雌饋砥渲挥绊戨y以達(dá)到的低頻區(qū)域。在這樣的低頻區(qū)域測(cè)量需要大量的時(shí)間。
系列應(yīng)用指南的*部分詳細(xì)描述了測(cè)量漏電流的方法。
電化學(xué)電容的傳輸線模型
真實(shí)電化學(xué)電容并不會(huì)表現(xiàn)出如randle模型一樣的簡(jiǎn)單行為。
如圖3所示為3f雙電層電容的bode圖。此外，所示為兩個(gè)不同的模型—簡(jiǎn)單的randle模型（紅線）和bisquert open模型（綠線）。
本指南中3f雙電層電容的阻抗足夠高，因此可以采用任何控制模式。由于恒電壓eis常用，故采用之。
電容首先被充電至2.7v然后保持在該電壓下約10分鐘。為了進(jìn)行eis實(shí)驗(yàn)，設(shè)置的直流電壓2.7v與一個(gè)1mv的交流電壓疊加。頻率范圍從10khz到100μhz。
圖3.3f雙電層電容恒電位eis測(cè)試的bode圖（藍(lán)色）。（紅色）randle模型，（綠色）bisquert open模型。（紫色）大小，（十字）相位。詳情請(qǐng)參閱文本。
正如預(yù)期的，randle模型與譜圖之間擬合非常差。擬合結(jié)果為：
? esr 45.5mω±0.2mω? rleakage3.6kω±0.4kω? c 2.75f±0.01f該結(jié)果為電化學(xué)電容典型的eis譜圖，其中電極的多孔性導(dǎo)致電解質(zhì)到達(dá)電極表面的不均衡以及法拉第反應(yīng)的發(fā)生。不能采用簡(jiǎn)單電阻和電容模型進(jìn)行模擬。
randle模型和實(shí)際電化學(xué)電容的區(qū)別包括：
? 在10hz到10khz范圍內(nèi)，阻抗的大小并不是常數(shù)而是逐漸增大。從電阻到電容的過渡行為就發(fā)生在這個(gè)階段。? 在越高的頻率時(shí)，相位永遠(yuǎn)不會(huì)接近簡(jiǎn)單模型中的0°。? 在此頻率范圍無法檢測(cè)到漏電阻的信號(hào)。采用多孔電極傳輸線模型擬合數(shù)據(jù)能得到更好的結(jié)果。如圖4所示為bisquert open模型，其同樣描述了電極的多孔性。
圖4.bisquert open模型的示意圖。
在等效串聯(lián)電阻中，引入孔電阻rm,隨孔深度增加而增大。常相位角原件（cpe）替換了之前的理想電容器，用其定義電化學(xué)電容中電極表面的不均一性。內(nèi)阻rk與漏電阻類似 ，在模型中其與cpe并聯(lián)。
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bisquert open模型的擬合如在圖3中綠線所示。擬合參數(shù)有：
等效串聯(lián)電阻esr 3.8mω±0.4 mω
? rm96mω±17mω? rk1.3×1034ω±1×1038ω? ym（cpe）2.54s sa±0.15 s sa? α（cpe）0.97±0.03對(duì)圖3中的bode圖來說，bisquert open模型比randle模型擬合得到結(jié)果更與原始數(shù)據(jù)相符，甚至幾乎*重合。
傳輸線模型考慮了在高頻區(qū)逐漸增大的阻抗大小。在高于100mhz的頻率區(qū)間，也就是電阻性向電容性過渡的區(qū)域，傳輸線模型可以更好得對(duì)體系進(jìn)行描述。因此得到的esr擬合值比randle模型得到的結(jié)果更小。
在不同電勢(shì)下3f雙電層電容的電化學(xué)阻抗譜
對(duì)于理想雙電層電容，其電化學(xué)阻抗譜圖與外加直流電壓無關(guān)。但是真實(shí)裝置并不會(huì)顯示出這種趨勢(shì)。
如圖5所示為不同電勢(shì)下記錄得到3f雙電層電容的bode圖。5個(gè)電壓分別為：0v，1v，2v，3v，3.5v。后一個(gè)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于雙電層電容2.7v的特征值。
譜圖在10khz到10mhz頻率范圍，恒定電壓附加一個(gè)1mvrms交流電壓的條件下測(cè)得。每次測(cè)試之前，電容在直流電壓下保持約10分鐘。
圖5.3f雙電層電容上恒壓測(cè)試電化學(xué)阻抗譜得到bode圖。（藍(lán)）0v，（綠）1v，（紅）2v，（黃）3v，（紫）3.5v。（黑）大小，（十字）相位。詳情請(qǐng)參閱文本。
顯然，在1hz至10khz區(qū)間內(nèi)該雙電層電容顯示出非理想性。超過該電容的額定電壓會(huì)導(dǎo)致電極表面上的降解和分解反應(yīng)。這些不可逆的法拉第反應(yīng)會(huì)引發(fā)頻率高于1hz區(qū)間，也就是阻抗由esr控制時(shí)esr的增大。
在1hz一下，阻抗譜隨電壓增大而減小。在阻抗取決于直流電壓的頻率區(qū)域，電容增加并且必須與直流電壓有關(guān)。需注意的是，在越高電勢(shì)下，電容的增加是以縮短壽命為代價(jià)的。
在不同電勢(shì)下1f贗電容的電化學(xué)阻抗譜
正如對(duì)于理想雙電層電容，在不同電壓下，理想贗電容上記錄的電化學(xué)阻抗譜應(yīng)該是可以重疊的。同樣，真實(shí)贗電容的不會(huì)顯示出這樣的趨勢(shì)。
如圖6所示為采用恒壓阻抗模式記錄1f贗電容上的bode圖。直流電壓分別為0v，1v，2v和2.4v。交流電壓設(shè)定為1mvrms。頻率區(qū)間在10khz到10mhz。
圖6.恒壓阻抗模式測(cè)試1f pas贗電容上的bode圖。（藍(lán)）0v，（綠）1v，（紅）2v，（黃）2.4v。（黑）大小，（十字）相位。詳情請(qǐng)參閱文本。
正如在雙電層電容上，贗電容在低頻區(qū)顯示出電壓依賴性。隨電壓增大阻抗減小。
與3f雙電層電容相反的是（如圖5所示），該1f贗電容在頻率高于10hz時(shí)，并未顯示出電壓依賴性。
低esr 650f雙電層電容上的電化學(xué)阻抗譜。
低esr電容上的電化學(xué)阻抗譜測(cè)量是非常困難的。一般需要：
真正4終端測(cè)量
? 恒流電池控制? 低電阻基礎(chǔ)? 雙絞線或同軸電線如圖7所示為用于測(cè)試650f雙電層電容上電化學(xué)阻抗譜的連接圖。1.5mm厚銅板用于連接。需要注意的是，載流導(dǎo)線（綠和紅）與電壓傳感引線（白色和藍(lán)色）在該裝置的相反方向。
圖7.測(cè)試650f雙電層電容時(shí)的電極連接。工作電極（綠），對(duì)電極（紅），工作參比（藍(lán)），和參比電極（白）。
注意：必須非常小心避免電容終端由于低電阻造成的短路。
該電流將會(huì)達(dá)到幾百甚*千安培，非常危險(xiǎn)。
如上所述，低阻抗電池必須采用恒流測(cè)量模式。采用恒壓模式，直流電壓上的微小錯(cuò)誤都會(huì)導(dǎo)致巨大的電流，從而損傷電池，甚至超過恒電位儀的額定值。
如圖8所示為650f雙電層電容的混合電化學(xué)阻抗譜。首先將電容充電至2v然后保持在該電壓以測(cè)試恒壓下的電化學(xué)阻抗譜。恒定電流為0，并且擾動(dòng)電壓為0.1mvrms。從1khz到10mhz記錄電化學(xué)阻抗譜。
需要注意的是，雖然在設(shè)置過程中已經(jīng)定義了擾動(dòng)電壓，但是在恒流模式下混合eis仍然可以進(jìn)行。
恒電流儀改變了交流電流，用以維持幾乎校正過的交流電壓響應(yīng)。
圖8.在650f雙電層電容上混合eis測(cè)試的bode圖。（藍(lán)）大小，（十字）相位。詳情請(qǐng)參閱文本。
該650f雙電層電容在1khz時(shí)具有小于600μω的額定等效串聯(lián)電阻。測(cè)量得到值為418μω，小于該電容的額定esr600μω。
考慮到電化學(xué)阻抗譜測(cè)試時(shí)雙電層電容為直流電壓，為得到可靠結(jié)果直流電壓變化僅可為2mv。
優(yōu)化電化學(xué)阻抗譜—多重正弦波技術(shù)
gamry優(yōu)化電化學(xué)阻抗譜測(cè)量可讓用戶可以比使用商業(yè)化單正弦技術(shù)更快得實(shí)現(xiàn)電化學(xué)阻抗譜測(cè)量。
如圖9所示為3f雙電層電容上恒壓eis測(cè)試bode圖以及恒壓模式的可選電化學(xué)阻抗譜實(shí)驗(yàn)。
電容先充電至2.7v然后保持在此點(diǎn)位約20分鐘。外加直流電壓2.7v以及交流電壓10mv的擾動(dòng)。頻率范圍從40hz到10mhz。
圖9.3f雙電層電容上（藍(lán)）恒壓eis測(cè)試的bode圖以及（紅）可選電化學(xué)阻抗譜測(cè)試。（黑）大小，（十字）相位。詳情請(qǐng)參閱文本。
恒壓eis與優(yōu)化eis的bode圖可完美重合。在低噪音模式下，恒壓eis測(cè)試需要約30分鐘。而優(yōu)化eis測(cè)試時(shí)間減少至僅需9分鐘，約為前者的三分之一。
循環(huán)實(shí)驗(yàn)中的電化學(xué)阻抗譜測(cè)試
電化學(xué)阻抗譜可以符合其他技術(shù)，如循環(huán)充放電測(cè)試。該復(fù)合技術(shù)可以用于研究體系隨時(shí)間的變化。
有關(guān)于循環(huán)充放電測(cè)量的實(shí)際應(yīng)用和評(píng)測(cè)見應(yīng)用指南系列的第二部分。
如圖10所示為循環(huán)充放電實(shí)驗(yàn)過程中容量的變化。運(yùn)行10組，每組5000次循環(huán)。在*循環(huán)之前以及每組循環(huán)之后執(zhí)行恒流eis實(shí)驗(yàn)。總的循環(huán)圈數(shù)為50000次。
對(duì)于3f雙電層電容上的循環(huán)充放電測(cè)試，首先充電至1.35v然后在1.35v和3.5v之間循環(huán)，電流為±2.25a。
圖10.3f雙電層電容上循環(huán)充放電測(cè)試超過50000次中斷進(jìn)行恒流eis實(shí)驗(yàn)。詳情請(qǐng)參閱文本。
為了進(jìn)行復(fù)雜測(cè)試序列，gamry提供有序列向?qū)АＦ湓试S建立有大范圍技術(shù)的單個(gè)序列。欲了解序列向?qū)У母嘈畔ⅲ?qǐng)?jiān)L問gamry網(wǎng)站
電容容量隨循環(huán)次數(shù)的增加而減小。當(dāng)其電壓上限3.5v高于雙電層電容的極限，電極界面上會(huì)發(fā)生不可逆反應(yīng)從而降低其性能。
如圖11所示為bode圖。外加0直流電流和10marms交流電流。譜圖記錄從10khz到100mhz。每次eis測(cè)試之前，電勢(shì)保持在3.5v約4小時(shí)。
重要提示：為達(dá)到eis測(cè)試穩(wěn)定性的標(biāo)準(zhǔn)，在恒流eis測(cè)試過程中，保持電壓的步驟使得體系穩(wěn)定是必須的。
圖11.在3f雙電層電容上測(cè)試循環(huán)過程恒流eis測(cè)試bode圖。（藍(lán)）*圈，（綠）第10000圈，（紅）第20000圈，（黃）第30000圈，（品紅）第40000圈，
（藍(lán)綠）第50000圈。（黑）大小，（十字）相位。詳情請(qǐng)參閱文本。
在頻率范圍為1hz到10khz范圍內(nèi)，阻抗隨循環(huán)次數(shù)增加而增加。在此區(qū)域esr控制阻抗。對(duì)這些譜圖的擬合的估算確定了esr的增加。在50000次循環(huán)之后esr增加了約14mω。對(duì)應(yīng)增加超過30%。
與此相反，由于在電極表面可能發(fā)生的不可逆反應(yīng)，電容容量隨循環(huán)次數(shù)的增加而減少。
表1列出了esr擬合值以及與循環(huán)次數(shù)有關(guān)的電容容量。
表1.和循環(huán)次數(shù)有關(guān)的esr變化以及電容容量。
cycle#
1
10k
20k
30k
40k
50k
esr[mω]
44.5
48.7
51.4
53.1
55.8
58.4
c[f]
3.01
2.94
2.90
2.87
2.84
2.81
堆棧的電化學(xué)阻抗譜
單個(gè)能量存儲(chǔ)裝置的堆棧被用于需要高電壓的應(yīng)用場(chǎng)合。鑒于此，多電池被串聯(lián)和并聯(lián)連接。
欲了解電池堆棧的更多信息請(qǐng)參閱本應(yīng)用指南系列的第二部分。
如圖12所示為本應(yīng)用中堆棧測(cè)量的測(cè)試設(shè)置。其由兩個(gè)3f雙電層電容和一個(gè)5f雙電層電容串聯(lián)組成。第二個(gè)電容模擬得到更高的esr，為串聯(lián)一個(gè)0.5ω的電阻。
圖12.具有輔助靜電計(jì)串聯(lián)連接的多個(gè)電容圖示（aech1，aech2和aech3）。串聯(lián)電阻r模擬一個(gè)更高的esr。
輔助靜電計(jì)目前支持pwr800，eis300以及直流和交流工具包。
欲了解輔助靜電計(jì)選項(xiàng)的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問 gamry網(wǎng)站
對(duì)于堆棧電化學(xué)阻抗譜的測(cè)試，每個(gè)單電池初試均被充電至1v。隨后，堆棧被以3a電流充電至9v。電位在電化學(xué)測(cè)量之前保持20分鐘。
如圖13所示為堆棧以及采用輔助靜電計(jì)同時(shí)記錄的所有三個(gè)單電池的bode圖。電化學(xué)阻抗譜實(shí)驗(yàn)在0直流電流以及10marms交流擾動(dòng)的恒流模式下進(jìn)行。頻率的范圍從10khz到1mhz。
圖13.雙電層電容堆棧的恒流eis測(cè)試bode圖。（藍(lán)）堆棧，（綠）c1，（紅）c2+r，（黑）大小，（十字）相位。詳情請(qǐng)參閱文本。
當(dāng)頻率高于1hz時(shí)，每個(gè)單電池esr的不同都能區(qū)分出來。堆棧的總電壓還包括總esr都是每個(gè)單電池參數(shù)的加和。因此在頻率高于1hz時(shí)隨esr的增大 譜圖向上偏移。
與此相反的是，堆棧的總電容c為單電容倒數(shù)加和的倒數(shù)。因此，總電容c比任何一個(gè)單電容更小。當(dāng)頻率低于100mhz時(shí)，在大小為線性的區(qū)域，隨電容的增大譜圖向圖形的左下角偏移。
表2總結(jié)了所研究的堆棧以及其中單電池的一些參數(shù)。由每個(gè)eis譜圖擬合計(jì)算得到esr和電容c。在充電步驟中記錄電壓u。
表2.堆棧以及其中單電池得到測(cè)量參數(shù)。
element
u[v]
esr[mω]
c[f]
stack
9.00
613
1.27
c1
2.78
35.7
3.28
c2+r
3.55
543
3.49
c3
2.67
31.2
5.01
僅僅考慮堆棧中的參數(shù)并不能反映出單個(gè)電池的不平衡。例如，如果堆棧是*平衡并且充電至9v，那么所有的單電容都終將被充電至3v。
由于電池參數(shù)的不平衡（例如，不同的esr以及不同的電容），單個(gè)電池的充電電壓將會(huì)發(fā)生變化。需要注意的是，這些不同并不能從堆棧一直保持的總電壓9v中體現(xiàn)出來。
加入電容c2具有高的模擬esr值，其將過充超過0.5v，而c1和c3并沒有達(dá)到設(shè)計(jì)電壓。過充將會(huì)損傷電池并且大大降低性能和壽命。
通過使用輔助靜電計(jì)，可以同時(shí)研究整個(gè)堆棧和每個(gè)單電池。用這樣的方法，電容中的不平衡，esr以及電池電壓都可以觀測(cè)到。另外，可以通過調(diào)整這些參數(shù)來使堆棧達(dá)到平衡。
結(jié)論本應(yīng)用指南討論了電化學(xué)電容上的電化學(xué)阻抗譜測(cè)試?yán)碚撘约皩?shí)際應(yīng)用。指出eis是研究能源存儲(chǔ)裝置*的重要工具。
解釋了兩種模型對(duì)電化學(xué)電容bode圖的擬合。然而，為了描述在電化學(xué)電容中常用高比表面積電極，得到可靠模擬結(jié)果的模型是必須的，該類模型被成為傳輸線模型。
幾種不同的電化學(xué)電容測(cè)試技術(shù)如下所述：恒壓eis，恒流eis，混合eis以及優(yōu)化eis中的gamry的多重正弦波技術(shù)。
為了介紹eis更廣泛領(lǐng)域的應(yīng)用，循環(huán)充放電測(cè)試被用于與eis測(cè)試結(jié)合，模擬隨時(shí)間體系的變化。
后，通過gamry的輔助靜電計(jì)進(jìn)行了堆棧的測(cè)量。用這樣的方法，同時(shí)研究了堆棧中單電池的平衡單電池參數(shù)。