等離子表面處理機(jī)廠家石墨烯蝕刻原理經(jīng)驗分析：
石墨烯線的邊界缺陷目前還沒有很好的控制方法，這是因為石墨烯的鍵斷裂總是沿著60°或120°的方向，使線的邊界很難整齊，這會使石墨烯線在不同區(qū)度形成不同的寬度，顯然這對芯片級制造極其不利。對蝕刻來講這需要一步更加猛烈而不會損傷石墨烯細(xì)線的終點(diǎn)蝕刻或后處理工藝。
而其他的研究表明氧氣的等離子體對厚的石墨烯蝕刻更加有效，氧氣等離子體對石 墨烯的蝕刻速率很快且對厚度較厚的多層石墨烯更為有效。線和空隙均為20μm的圖形 被用來檢測蝕刻效果。文中使用的石墨烯是厚50nm生長在二氧化硅上。蝕刻條件為:70sccm的氧氣和30sccm的氬氣混合氣體，偏壓為150w，壓力為55 mt，所使用的光阻為通過兩次旋涂而成的20μm厚的az4620獲的圖形。
該條件對石墨烯的蝕刻速率約為100nm每分鐘，而對光阻az4620的蝕刻速率為330nm每分鐘，這也要求更厚的光阻或使用3層光罩結(jié)構(gòu)，好在該條件對無定型碳的蝕刻速率約為20nm 每分鐘，可以用來作為石墨烯蝕刻的阻捍層。
從現(xiàn)有的蝕刻原理及經(jīng)驗分析，氧等離子體中摻人氬等離子體既保證了化學(xué)蝕刻的強(qiáng)度也可通過較高的偏壓加速，利用較重的氬氣等離子體轟擊石墨烯，保證對相對較厚的石墨烯薄膜進(jìn)行物理攻擊，達(dá)到蝕刻目的，但顯然要清除殘留物，物理蝕刻作用就不大了，而且會對下層的薄膜產(chǎn)生轟擊、損傷。也就是說要用低的偏壓的氧等離子去完成過蝕刻，這樣既能有效去除殘留物也可以很好地保護(hù)下層薄膜。這種方案應(yīng)該比使用主蝕刻程式完成過蝕刻更加有效，且獲得的圖形效果更好。
以上就是誠峰智造等離子表面處理機(jī)廠家石墨烯蝕刻原理經(jīng)驗分析。