高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀/少子壽命測試儀 型號:kdk-lt-1
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形無嚴(yán)格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。
2、設(shè)備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率>25次/s 脈寬>60μs 光脈沖關(guān)斷時間<0.2-1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶) 脈沖電流:~20a
如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源
2.2、高頻源
頻率:30mhz 低輸出阻抗 輸出功率>1w
2.3、放大器和檢波器
頻率響應(yīng):2hz~2mhz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于40mhz,y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。
3、測量范圍
kdk-lt-1可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測量范圍:5~6000μs