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        Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 用于制作閃耀羅蘭光柵

        發(fā)布時間:2024-06-06
        長春某研究所在制作閃耀羅蘭光柵的研究中采用伯東hakuto離子蝕刻機10ibe,制造出的閃耀羅蘭光柵比其他工藝制造的光柵產(chǎn)品整體衍射效率高25%,實現(xiàn)高衍射效率閃耀羅蘭光柵制作,且工藝可控、穩(wěn)定,所制作的閃耀羅蘭光柵衍射效率高于市場同類產(chǎn)品.
        hakuto離子蝕刻機10ibe技術(shù)參數(shù):
        基板尺寸
        < ф8 x 1wfr
        樣品臺
        直接冷卻(水冷)0-90度旋轉(zhuǎn)
        離子源
        16cm考夫曼離子源
        均勻性
        ±5% for 4”ф
        硅片刻蝕率
        20 nm/min
        溫度
        <100
        hakuto離子刻蝕機10ibe離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的kri考夫曼公司的考夫曼離子源kdc 160
        伯東美國kri考夫曼離子源kdc160技術(shù)參數(shù):
        離子源型號
        離子源kdc 160
        discharge
        dc熱離子
        離子束流
        >650 ma
        離子動能
        100-1200 v
        柵極直徑
        16 cm φ
        離子束
        聚焦,平行,散射
        流量
        2-30 sccm
        通氣
        ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
        典型壓力
        < 0.5m torr
        中和器
        燈絲
        hakuto離子刻蝕機10ibe真空腔采用pfeiffer渦輪分子泵hipace 700,可抽的真空度< 1 · 10-7hpa,良好的保持真空腔的真空度.
        若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論,請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
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