1，資訊下內(nèi)存型號(hào)問(wèn)題幫忙看下不要看錯(cuò)哦2，幫忙看看這些那個(gè)是內(nèi)存型號(hào)3，內(nèi)存條型號(hào)說(shuō)明4，內(nèi)存條的型號(hào)5，hynix內(nèi)存的型號(hào)1，資訊下內(nèi)存型號(hào)問(wèn)題幫忙看下不要看錯(cuò)哦
ddr400.你的機(jī)器是啟天系列的吧！一代條， 價(jià)格現(xiàn)在貴的要死。1g的現(xiàn)在價(jià)格在200左右
2，幫忙看看這些那個(gè)是內(nèi)存型號(hào)
插槽#1 ddr 模塊大小 256mbytes 這個(gè)是內(nèi)存的s=ianswer> 其他回答 共 6 條 ddr回答者：175016843 - 高級(jí)經(jīng)理 七級(jí) 7-11 11:39
3，內(nèi)存條型號(hào)說(shuō)明
應(yīng)該是封裝方式不同吧，我也是推測(cè)的。你要是不兼容就只用一根2g的就是了，把你的512m的賣了就行把你原來(lái)電腦上的條子型號(hào)寫上來(lái)買型號(hào)一樣的才兼容，把512m的拔了，用1g的，，，，
4，內(nèi)存條的型號(hào)
暈現(xiàn)在用的都是ddr內(nèi)存ddr ddr是一種新誕生的內(nèi)存技術(shù)，ddr，英文原意為“doubledatarate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也就意味著有“單”，我們?nèi)粘Ｋ褂玫膕dram都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”，這種內(nèi)存的特性是在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中，在一個(gè)方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作（讀或?qū)懀?，而ddr則引用了一種新的設(shè)計(jì)，其在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中，在方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作，在方波的下降沿時(shí)也做一次操作，之所以在一個(gè)時(shí)鐘周期中，ddr則可以完成sdr兩個(gè)周期才能完成的任務(wù)，所以理論上同速率的ddr內(nèi)存與sdr內(nèi)存相比，性能要超出一倍，可以簡(jiǎn)單理解為100mhz ddr=200mhz sdrsdram是“synchronous dynamic random access memory”的縮寫，意思是“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”，就是我們平時(shí)所說(shuō)的“同步內(nèi)存”，這種內(nèi)存采用168線結(jié)構(gòu)，sd過(guò)時(shí)了 沒(méi)人用了 不要聽sj說(shuō)的 他賣你都是賣不出去的貨現(xiàn)在用ddr2 了好吧不要說(shuō)ddr ok，呵呵現(xiàn)在ddr2比ddr快多了，但要看清楚，是用什么封包的內(nèi)存條分為:edo\sdram\ddrram\ddr2\rdram,這幾種. 前者edo是早期的內(nèi)存條486以前.速度慢,72線. sd內(nèi)存條是486時(shí)用的內(nèi)存條.我現(xiàn)在用的也是這種.速度一般.它的型號(hào)分為:pc66\pc100\pc133\pc150這幾種,平時(shí)我們用的最多是就是pc133的那種了,也有用pc100的 ddr內(nèi)存條的速度是sd內(nèi)存條的兩倍,也是當(dāng)今內(nèi)存的主流,型號(hào)分為:pc1600\pc2100\pc2700\pc3200\pc3500 對(duì)就的:ddr200\ddr266\ddr333\ddr400\ddr433! 內(nèi)存條上都貼有容量.一般都能夠看得到的.希望能夠幫到你~!
5，hynix內(nèi)存的型號(hào)
你好，你的內(nèi)存是512mb的ddr 1代內(nèi)存。hymp112u64cp8-y5ab 這是內(nèi)存芯片的型號(hào) 是韓國(guó)現(xiàn)代的 1g代表內(nèi)存條容量為1gb1rx8代表一根內(nèi)存條有8塊內(nèi)存芯片pc2-5300u 代表為ddr2 667是內(nèi)存讀取速度這串編號(hào)是由14組數(shù)字組成的，這14組數(shù)字代表著14組不同的重要參數(shù)，分別如下： ·“hy”是hynix的簡(jiǎn)稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。 ·“5d”是內(nèi)存芯片類型為ddr，57則為sd類型。 ·“u”代表處理工藝及電壓為2.5v。(v：vdd=3.3v & vddq=2.5v；u：vdd=2.5v & vddq=2.5v；w：vdd=2.5v & vddq=1.8v；s：vdd=1.8v & vddq=1.8v) ·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256m 8k刷新。(64：64m 4k刷新；66：64m 2k刷新；28：128m 4k刷新；56：256m 8k刷新；57：256m 4k刷新；12：512m 8k刷新；1g：1g 8k刷新) ·“8”是內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)，代表改內(nèi)存由8顆芯片構(gòu)成。(4=4顆芯片；8=8顆芯片；16=16顆芯片；32=32顆芯片) ·“2”指內(nèi)存的bank(儲(chǔ)蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank) ·“2”代表接口類型為sstl_2。(1=sstl_3；2=sstl_2；3=sstl_18) ·“b”是內(nèi)核代號(hào)為第3代。(空白=第1代；a=第2代；b=第3代；c=第4代) ·能源消耗，空白代表普通；l代表低功耗型，該內(nèi)存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。 ·封裝類型用“t”表示，即tsop封裝。(t=tsop；q=lofp；f=fbga；fc=fbga) ·封裝堆棧，空白=普通；s=hynix；k=m&t；j=其它；m=mcp(hynix)；mu=mcp(utc)，上述內(nèi)存為空白，代表是普通封裝堆棧。 ·封裝原料，空白=普通；p=鉛；h＝鹵素；r=鉛+鹵素。該內(nèi)存為普通封裝材料。 ·“d43”表示內(nèi)存的速度為ddr400。(d43=ddr400，3-3-3；d4=ddr400，3-4-4；j=ddr333；m=ddr333，2-2-2；k=ddr266a；h=ddr266b；l=ddr200) ·工作溫度，一般被省略。i=工業(yè)常溫(-40～85度)；e=擴(kuò)展溫度(-25～85度)