齊納二極管是電子電路的一個基本構建模塊，其作用是在達到特定反向電壓（常稱為齊納電壓）時允許大量電流反向流動。達到或超過此反向擊穿電壓后，齊納二極管便以恒定基準電壓運行。齊納二極管常用來產生穩(wěn)定電壓，可廣泛用于需要將電壓鉗制在或保持在某個限值以下的各種應用。齊納二極管的另一重要應用領域是鉗制不必要的過電壓以保護mosfet。
齊納效應和雪崩效應
電壓不超過5 v時，在反向偏置結的耗盡區(qū)，電子從價帶進入導電帶形成電子貫穿，從而產生電擊穿。一旦電場強度足夠高，自由電荷載流子就會導致反向電流陡然增加。此效應由克拉倫斯·梅爾文·齊納(clarence melvin zener)于1934年首次發(fā)現(xiàn)，故以他的名字來命名此類二極管。
如果電壓超過5 v，另一種效應會變得更加顯著。pn結的電場會使過渡區(qū)中的電子加速，產生電子空穴對。這些空穴會向負極移動并填上電子，而自由電子則向正極移動。不斷移動的空穴和電子通過釋放相鄰的束縛電子，可以產生更多攜帶高場強的電荷載流子。電荷載流子大量產生的過程迅速發(fā)展成雪崩，因此如果超過特定的反向電壓，就會有大量電流開始流動。