建議拆掉軟啟動(dòng)器后測(cè)試，以往在工廠測(cè)試電機(jī)時(shí)候，一般都建議拆掉變頻器來(lái)測(cè)試的，其實(shí)就是主回路三條線，拆裝很簡(jiǎn)單的，畢竟你測(cè)試電機(jī)絕緣時(shí)候，不知道你的測(cè)試儀輸出的高壓是多少了，一不留神會(huì)燒里邊的器件的，畢竟里邊除了可控硅，還可能有一些檢測(cè)電路或者過(guò)壓保護(hù)器件了，很容易受到破壞，一般主回路就是3個(gè)可控硅，可控硅的反向耐壓和正向耐壓，基本上是差不多的，可以參考這個(gè)小功率的可控硅表，廠家給出來(lái)的參數(shù)，和正向耐壓是一致的，可以推測(cè)大功率的也差不多。
可控硅的主要技術(shù)參數(shù)
1．正向阻斷峰值電壓(vpfu)
是指在控制極開(kāi)路及正向阻斷條件下，可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80％。
2．反向阻斷峰值電壓(vpru)
它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下，可以重復(fù)加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為最高反向測(cè)試電壓值的80％。
3．額定正向平均電流(if)
在環(huán)境溫度為+40c時(shí)，器件導(dǎo)通(標(biāo)準(zhǔn)散熱條件)可連續(xù)通過(guò)工頻(即指供電網(wǎng)供給的電源頻率．一般為50hz或60hz，我國(guó)規(guī)定為50hz)正弦半波電流的平均值。
4．正向平均壓降(uf)
在規(guī)定的條件下，器件通以額定正向平均電流時(shí)，在陽(yáng)極與陰極之間電壓降的平均值。 5．維持電流(ih)
在控制極斷開(kāi)時(shí)，器件保持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小正向電流。
6．控制極觸發(fā)電流(ig)
陽(yáng)極與陰極之間加直流6v電壓時(shí)，使可控硅完全導(dǎo)通所必需的最小控制極直流電流。 7．控制極觸發(fā)電壓(ug)
是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)控制極上所加的最小直流電壓。