1，機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤的工作原理2，固態(tài)硬盤相對(duì)于磁盤的工作原理是怎樣的3，固態(tài)硬盤的工作原理4，ssd的原理5，ssd的原理1，機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤的工作原理
工作原理不一樣。 機(jī)械硬盤是磁盤，磁記錄的狀態(tài)不同，磁是有兩極的。 而固態(tài)硬盤是用的閃存，是閃存的電的狀態(tài)。
2，固態(tài)硬盤相對(duì)于磁盤的工作原理是怎樣的
固態(tài)硬盤的工作原理和u盤一樣的。機(jī)械硬盤有盤片，有機(jī)械結(jié)構(gòu)，是磁信號(hào)。而固態(tài)硬盤沒有機(jī)械結(jié)構(gòu)，是電信號(hào)。原理是閃存，flashmemory。系統(tǒng)磁盤管理選擇合并操作就行，不用重裝系統(tǒng)foot of the mountain.
3，固態(tài)硬盤的工作原理
固態(tài)存儲(chǔ)盤是由閃存組成的，也就是由flash芯片陣列制成的硬盤。它所用的芯片與u盤的是一樣的，但它們的區(qū)別是接口和容量不一樣。固態(tài)硬盤的接口規(guī)范與普通硬盤的完全相同。工作原理：設(shè) 固態(tài)硬盤由128片4g的flash芯片組成512g。工作過程 當(dāng)cpu要讀取或存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，接口電路把cpu發(fā)來的信息（扇區(qū)、磁道）翻譯成地址碼（注意：機(jī)械式硬盤是控制電機(jī)、磁頭動(dòng)作），這些地址的前7位去尋址128片flash芯片其中的一個(gè)（這個(gè)芯片被激活），后面22位地址則送到flash芯片進(jìn)行譯碼，尋找flash芯片的某一單元，將此單元數(shù)據(jù)進(jìn)行讀或?qū)?。如果要想講得很明白，還需講文件存儲(chǔ)時(shí)的頭尾定義。簡喻之 --閃存內(nèi)部陣列卡 （當(dāng)然也要加控制芯片等）容量大?。ㄍ盗校┰谟陂W存數(shù)量不同所以越大的讀寫越快。由于不是磁頭，碟片這類機(jī)械結(jié)構(gòu)，在尋道上幾乎是即時(shí)響應(yīng)。而通過陣列方式 則解決了閃存本身讀寫慢的問題機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤的工作原理，數(shù)據(jù)恢復(fù)軟件原理簡喻之 --閃存內(nèi)部陣列卡 （當(dāng)然也要加控制芯片等）容量大小（同系列）在于閃存數(shù)量不同所以越大的讀寫越快由于不是磁頭 碟片這類機(jī)械結(jié)構(gòu)在尋道上幾乎是即時(shí)響應(yīng)而通過陣列方式 則解決了閃存本身讀寫慢的問題固態(tài)硬盤 ssd 其實(shí)就是用閃存代替?zhèn)鹘y(tǒng)硬盤的存儲(chǔ)介質(zhì)。 加上一個(gè)控制芯片。工作原理和機(jī)械硬盤基本相同。
4，ssd的原理
這個(gè)我本身也不太懂，就不用我那一知半解的知識(shí)來誤導(dǎo)您了推薦您可以去 pceva論壇 去了解相關(guān)知識(shí)。那是國內(nèi)最高水平討論ssd相關(guān)知識(shí)的地方。那里的管理員浴室姐姐很厲害。 我對(duì)ssd的理解都是來自那里。元和存儲(chǔ)單元（dram或flash芯片）兩部分組成。存儲(chǔ)單元負(fù)責(zé)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，控制單元負(fù)責(zé)讀取、寫入數(shù)據(jù)。擁有速度快，耐用防震，無噪音，重量輕等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。ssd硬盤與傳統(tǒng)的溫徹斯特硬盤在工作機(jī)制上有著本質(zhì)的不同 首先,傳統(tǒng)的溫徹斯特是采用金屬碟片+磁性材料進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的內(nèi)部主要由馬達(dá),磁頭,金屬碟片,主控電路構(gòu)成.而ssd固態(tài)硬盤是采用nand型flash顆粒作為存儲(chǔ)介質(zhì),由控制ic（主控芯片,進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀/寫過程協(xié)調(diào),內(nèi)部構(gòu)造與傳統(tǒng)硬盤相比,沒有馬達(dá),磁片,因此是真正的“無噪音”的靜音硬盤.因此,得益于ssd硬盤天生的“無機(jī)械構(gòu)件”數(shù)據(jù)讀取/寫入模式,ssd硬盤在數(shù)據(jù)的讀取/寫入突發(fā)讀取速率等方面均大幅度超過傳統(tǒng)硬盤,并且在省電（一般ssd硬盤功耗在2.5w-5w之間）,抗震性方面也優(yōu)于傳統(tǒng)硬盤 其中intel的 x-25m mlc ssd硬盤 的讀取/寫入速度達(dá)到了驚人的250mb/s 70mb/s 而ssd硬盤根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的不同分為 slc(single layer cell）單層單元 mlc(multi-level cell） 多層單元 在性能上 由于slc得天獨(dú)厚的優(yōu)勢 在讀寫和壽命上均大幅度超過mlc 但是容量上mlc占優(yōu) slc局限于工藝技術(shù) 無法在有限的體積內(nèi)更多的集成存儲(chǔ)芯片 導(dǎo)致容量一直受限 ,但是隨著ic主控芯片和新算法的研究 現(xiàn)在mlc ssd在壽命和速度上已經(jīng)漸漸縮小的與slc ssd的差距 市面上比較常見的ssd產(chǎn)品現(xiàn)在多為mlc構(gòu)造的.但是與溫徹斯特硬盤相比,ssd產(chǎn)品在性價(jià)比上處于絕對(duì)劣勢,其每gb數(shù)十元的成本與現(xiàn)在每gb不足一元成本的傳統(tǒng)硬盤相比,高的離譜,并且在大容量上,ssd硬盤還無法做到與普通硬盤相提并論的程度,因此并不十分普及問題范圍太大了ssd硬盤與傳統(tǒng)的溫徹斯特硬盤在工作機(jī)制上有著本質(zhì)的不同 首先 傳統(tǒng)的溫徹斯特是采用金屬碟片+磁性材料進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的 內(nèi)部主要由馬達(dá) 磁頭 金屬碟片 主控電路構(gòu)成 而ssd固態(tài)硬盤是采用nand型flash顆粒作為存儲(chǔ)介質(zhì) 由控制ic（主控芯片）進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀/寫過程協(xié)調(diào) 內(nèi)部構(gòu)造與傳統(tǒng)硬盤相比 沒有馬達(dá) 磁片 因此是真正的“無噪音”的靜音硬盤 因此 得益于ssd硬盤天生的“無機(jī)械構(gòu)件”數(shù)據(jù)讀取/寫入模式 ssd硬盤在數(shù)據(jù)的讀取/寫入 突發(fā)讀取速率等方面均大幅度超過傳統(tǒng)硬盤 并且在省電（一般ssd硬盤功耗在2.5w-5w之間） 抗震性方面也優(yōu)于傳統(tǒng)硬盤 其中intel的 x-25m mlc ssd硬盤 的讀取/寫入速度達(dá)到了驚人的250mb/s 70mb/s 而ssd硬盤根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的不同分為 slc(single layer cell）單層單元 mlc(multi-level cell） 多層單元 在性能上 由于slc得天獨(dú)厚的優(yōu)勢 在讀寫和壽命上均大幅度超過mlc 但是容量上mlc占優(yōu) slc局限于工藝技術(shù) 無法在有限的體積內(nèi)更多的集成存儲(chǔ)芯片 導(dǎo)致容量一直受限 但是 隨著ic主控芯片和新算法的研究 現(xiàn)在mlc ssd在壽命和速度上已經(jīng)漸漸縮小的與slc ssd的差距 市面上比較常見的ssd產(chǎn)品現(xiàn)在多為mlc構(gòu)造的 但是與溫徹斯特硬盤相比 ssd產(chǎn)品在性價(jià)比上處于絕對(duì)劣勢 其每gb數(shù)十元的成本與現(xiàn)在每gb不足一元成本的傳統(tǒng)硬盤相比 高的離譜 并且在大容量上 ssd硬盤還無法做到與普通硬盤相提并論的程度 因此并不十分普及
5，ssd的原理
ssd硬盤與傳統(tǒng)的溫徹斯特硬盤在工作機(jī)制上有著本質(zhì)的不同
首先,傳統(tǒng)的溫徹斯特是采用金屬碟片+磁性材料進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的內(nèi)部主要由馬達(dá),磁頭,金屬碟片,主控電路構(gòu)成.而ssd固態(tài)硬盤是采用nand型flash顆粒作為存儲(chǔ)介質(zhì),由控制ic（主控芯片,進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀/寫過程協(xié)調(diào),內(nèi)部構(gòu)造與傳統(tǒng)硬盤相比,沒有馬達(dá),磁片,因此是真正的“無噪音”的靜音硬盤.
因此,得益于ssd硬盤天生的“無機(jī)械構(gòu)件”數(shù)據(jù)讀取/寫入模式,ssd硬盤在數(shù)據(jù)的讀取/寫入突發(fā)讀取速率等方面均大幅度超過傳統(tǒng)硬盤,并且在省電（一般ssd硬盤功耗在2.5w-5w之間）,抗震性方面也優(yōu)于傳統(tǒng)硬盤 其中intel的 x-25m mlc ssd硬盤 的讀取/寫入速度達(dá)到了驚人的250mb/s 70mb/s
而ssd硬盤根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的不同分為
slc(single layer cell）單層單元
mlc(multi-level cell） 多層單元
在性能上 由于slc得天獨(dú)厚的優(yōu)勢 在讀寫和壽命上均大幅度超過mlc 但是容量上mlc占優(yōu) slc局限于工藝技術(shù) 無法在有限的體積內(nèi)更多的集成存儲(chǔ)芯片 導(dǎo)致容量一直受限 ,但是隨著ic主控芯片和新算法的研究 現(xiàn)在mlc ssd在壽命和速度上已經(jīng)漸漸縮小的與slc ssd的差距 市面上比較常見的ssd產(chǎn)品現(xiàn)在多為mlc構(gòu)造的.但是與溫徹斯特硬盤相比,ssd產(chǎn)品在性價(jià)比上處于絕對(duì)劣勢,其每gb數(shù)十元的成本與現(xiàn)在每gb不足一元成本的傳統(tǒng)硬盤相比,高的離譜,并且在大容量上,ssd硬盤還無法做到與普通硬盤相提并論的程度,因此并不十分普及 固態(tài)硬盤與普通硬盤比較，擁有以下優(yōu)點(diǎn)：
1. 啟動(dòng)快，沒有電機(jī)加速旋轉(zhuǎn)的過程。
2. 不用磁頭，快速隨機(jī)讀取，讀延遲極小。根據(jù)相關(guān)測試：兩臺(tái)電腦在同樣配置的電腦下，搭載固態(tài)硬盤的筆記本從開機(jī)到出現(xiàn)桌面一共只用了18秒，而搭載傳統(tǒng)硬盤的筆記本總共用了31秒，兩者幾乎有將近一半的差距。
3. 相對(duì)固定的讀取時(shí)間。由于尋址時(shí)間與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位置無關(guān)，因此磁盤碎片不會(huì)影響讀取時(shí)間。
4. 基于dram的固態(tài)硬盤寫入速度極快。
5. 無噪音。因?yàn)闆]有機(jī)械馬達(dá)和風(fēng)扇，工作時(shí)噪音值為0分貝。某些高端或大容量產(chǎn)品裝有風(fēng)扇，因此仍會(huì)產(chǎn)生噪音。
6. 低容量的基于閃存的固態(tài)硬盤在工作狀態(tài)下能耗和發(fā)熱量較低，但高端或大容量產(chǎn)品能耗會(huì)較高。
7. 內(nèi)部不存在任何機(jī)械活動(dòng)部件，不會(huì)發(fā)生機(jī)械故障，也不怕碰撞、沖擊、振動(dòng)。這樣即使在高速移動(dòng)甚至伴隨翻轉(zhuǎn)傾斜的情況下也不會(huì)影響到正常使用，而且在筆記本電腦發(fā)生意外掉落或與硬物碰撞時(shí)能夠?qū)?shù)據(jù)丟失的可能性降到最小。
8. 工作溫度范圍更大。典型的硬盤驅(qū)動(dòng)器只能在5到55攝氏度范圍內(nèi)工作。而大多數(shù)固態(tài)硬盤可在-10~70攝氏度工作，一些工業(yè)級(jí)的固態(tài)硬盤還可在-40~85攝氏度，甚至更大的溫度范圍下工作。
9. 低容量的固態(tài)硬盤比同容量硬盤體積小、重量輕。但這一優(yōu)勢隨容量增大而逐漸減弱。直至256gb，固態(tài)硬盤仍比相同容量的普通硬盤輕。
固態(tài)硬盤的缺點(diǎn)
固態(tài)硬盤與傳統(tǒng)硬盤比較，擁有以下缺點(diǎn)：
1. 成本高。每單位容量價(jià)格是傳統(tǒng)硬盤的5~10倍（基于閃存），甚至200~300倍（基于dram）。
2. 容量低。目前固態(tài)硬盤最大容量遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)硬盤。固態(tài)硬盤的容量仍在迅速增長，據(jù)稱ibm已測試過4tb的固態(tài)硬盤。
3. 由于不像傳統(tǒng)硬盤那樣屏蔽于法拉第籠中，固態(tài)硬盤更易受到某些外界因素的不良影響。如斷電（基于dram的固態(tài)硬盤尤甚）、磁場干擾、靜電等。
4. 寫入壽命有限（基于閃存）。一般閃存寫入壽命為1萬到10萬次，特制的可達(dá)100萬到500萬次，然而整臺(tái)計(jì)算機(jī)壽命期內(nèi)文件系統(tǒng)的某些部