pcb平面度翹曲度粗糙度測量儀oec上海
平面度、粗糙度、彎曲形變測量flatness,bow,warpageandroughness
面對的測量任務(wù):
對于材料平面結(jié)構(gòu)的研究要涉及
到相當(dāng)多的參數(shù)需要測量。
首先，*為主要的參數(shù)應(yīng)該是表面
粗糙度，也是*為常用的。
在表面測量的大量案例中，測量
平面參數(shù)時(shí)對應(yīng)的粗糙度值都非常小，
通常測量值都是納米級(jí)或亞納米級(jí)。
材料表面測量的第二個(gè)重要參數(shù)
是形狀的變化。
在我們服務(wù)的客戶中，有些材料
表面的彎曲形變度幾乎為零
也就是說，該客戶的材料表面具
有上等別的平面度。
figure 1: warpage or fltness measurement of a 300 mm
wafer. note, that the height is only some ten microns,
compared to the 300 mm area.12寸硅片平面度測量，僅10um彎曲
測量中存在的問題:
問題是，大多數(shù)表面測量儀器并
不能同時(shí)測量粗糙度和平面度。也不能
進(jìn)行模式變換。
比如，有些平面度及曲面形狀
測量儀器測量300mm硅片時(shí)得到
的測量分辨率很低，它不可能對,
硅片的整個(gè)面型進(jìn)行高分辨率的
形貌及高度輪廓測量。
如果要求這些儀器在小的波
形及頻率下得到**的平面度測量
值、同時(shí)測量出粗糙度值，也是無
法完成的。
我們的解決方案:
frt 的解決方案是配置高分辨
率的z方向光學(xué)測量傳感器，附x,y
掃描臺(tái)，系統(tǒng)不但能整體測量平面
度，彎曲翹曲度，而且能同時(shí)完成
高分辨率的三維形貌局部測量?；?br>者以高分辨率測量整個(gè)樣品的側(cè)面
高度輪廓，這時(shí)，如果測量的分辨率
還不能滿足客戶的精度需求，frt可
以在同一臺(tái)設(shè)備上再安裝afm-原子
力顯微鏡，提供了在高分辨率前提下
**測量方式的切換。
figure2:ahighresolutionmeasurementwithinthewafer
surface晶圓表面的高分辨率測量圖
frt 光學(xué)傳感器能保證快速及**地
形貌測量，樣品的尺寸范圍較大，可
從200 μ x 200 μ至600mmx600mm
測量精度：xy方向分辨率為1-2um，
z 軸范圍為 300um 到3 mm，同
時(shí)傳感器在z方向上不做移動(dòng)，分辨
*高可達(dá)3nm，系統(tǒng)可配置一臺(tái)定位
相機(jī)，其作用當(dāng)作一臺(tái)光學(xué)顯微鏡
用于光學(xué)傳感器在測量時(shí)確定掃描
的位置及范圍。
figure 3: 300 mm wafer flatness with profiles
12寸晶圓平面度帶側(cè)高信息
frt 下面的儀器可以配置
原子力色差傳感器:
afm/chromatic sensor
the microprof?in the 200 mm and 300 mm
version.
the microglider?in all versions.
by deducting a reference plane a repro-
ducibility in height of better then 100 nm is
achieved for the whole measuring range of
350 mm x 350 mm.
使用frt介紹的光學(xué)測量及定位
相機(jī)再配合原子力顯微鏡afm，
這樣對于樣品每個(gè)點(diǎn)的測量都非
常迅速而且精準(zhǔn)。
figure 4: profiles from figure 3 giving bow and warpage
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