電阻器作為運用泛的電子元器件之一，在電子設(shè)備中使用數(shù)量很大，因而電阻器失效導(dǎo)致設(shè)備故障的比率也相當高。特別是貼片精密薄膜電阻(以下簡稱電阻)，因其工藝及結(jié)構(gòu)的特點，近年來因濕熱導(dǎo)致阻值漂移甚至開路的案例越來越多，厘清失效原因及機理，已成為迫切需要研究的課題。而傳統(tǒng)的40℃、90%rh和85℃、85%rh的溫/濕度偏壓試驗方法(thb)需要花上千小時，已不能滿足當今高時效性的需求。
pct高壓蒸煮試驗有結(jié)露現(xiàn)象，不能加偏壓，故需要進一步改進加速試驗。hast就是為代替?zhèn)鹘y(tǒng)的溫度/濕度試驗而開發(fā)的方法，目前在微電路及半導(dǎo)體分析中已得到廣泛的應(yīng)用。
本文將hast應(yīng)用于電阻失效機理的研究和耐濕熱性能的評估中，展示了hast在電阻失效分析中的實踐應(yīng)用，為電阻的工藝改進及可靠性檢驗提供了一套快速、有效的測試方法，對電阻品質(zhì)的改善與提升具有一定的指導(dǎo)意義。
分析背景
某產(chǎn)品客戶端失效，經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)為電阻開路所致。電阻規(guī)格：348kω±0.1%，額定功率：0.1w。電阻命名如表1。
廠商 a b
電阻 不良品 正常品 同批次
未使用品
同料號
比對品
命名 a-ng a-ok a-原材 b-原材
分析原因
外觀觀察
先用實體顯微鏡(olympus sz61tr)對電阻保護層進行外觀觀察，如圖1紅色框起處，a-ng陶瓷基體外露，保護層未覆蓋至邊緣。再用sem(hitachi s-3400n)對a-ng、a-ok邊緣保護層形貌進行放大觀察，如圖1a、1b所示，a-ng保護層邊緣疏松粗糙。
去除保護層
先用有機溶劑去除電阻保護層，再用金相顯微鏡(olympus bx51m)進行觀察。如圖2a黃框所示，a-ng邊緣位置金屬膜缺失，用萬用表對缺失膜兩端進行電性確認顯示開路，故電阻失效的原因為金屬膜缺失所致。如圖2b所示，a-ok金屬膜完整，未見明顯異常。
原因探討
電阻是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì)，與導(dǎo)體的材料、長度、橫截面積和溫度有關(guān)。當阻值為r時，可用公式r=ρl/s表示，其中l(wèi)、s分別表示導(dǎo)體的長度和截面積;ρ表示導(dǎo)體的電阻率，對某一電阻器而言，l、ρ是已經(jīng)確定的，阻值隨著s的變化而改變。金屬膜缺失使電阻s變小，從而導(dǎo)致電阻阻值偏大或開路。
金屬膜缺失原因主要有：
(1)使用過程中過電應(yīng)力致使金屬膜熔損。(2)因濕熱、環(huán)境或電流(電壓)等因素，使原本存在的金屬膜遭受電解反應(yīng)而破壞、消失，此現(xiàn)象稱之為電蝕。
機理研究
為進一步厘清失效真因和機理，模擬不同條件下的失效現(xiàn)象，論證失效機理。
(1) eos試驗
采用直流電源供應(yīng)器(chroma 62024p-600-8)進行測試，測試電壓分別為600v、1000v，持續(xù)時間(5±1)s。
(2) hast試驗
采用高加速壽命試驗箱(hirayama pc-422r8d)進行測試，測試條件：溫度130℃、濕度85%rh、真空度0.12mpa、偏壓10v、時間96h。測試標準：jesd22-a110e。hast的目的為評估電阻在高溫、高濕、偏壓的加速因子下，保護層與金屬膜對濕氣腐蝕抵抗的能力，并可縮短器件的壽命試驗時間。
試驗條件及結(jié)果見表2，eos、hast試驗后電阻均出現(xiàn)阻值偏大或開路的現(xiàn)象。
試驗 實驗條件 試驗結(jié)果 影響因素
eos 600v 阻值偏大 過電應(yīng)力
1000v 開路 過電應(yīng)力
hast 130℃/85%rh
/0.12mpa/10v/96h
阻值偏大、開路 高溫、高濕、偏壓
圖3為試驗不良品去除保護層圖片，如圖3a、3b所示，eos試驗不良品金屬膜均有不同程度的熔損，電壓越大膜熔損越嚴重，阻值變化越大甚至開路，此現(xiàn)象與a-ng金屬膜缺失現(xiàn)象不同。如圖3c所示，hast試驗不良品可見電阻邊緣位置金屬膜缺失，與a-ng失效現(xiàn)象一致，失效機理為電阻在高溫、高濕、直流負荷的作用下發(fā)生電蝕。
電蝕失效主要以薄膜電阻為主，常見的失效機理有2種：(1)在金屬膜沉積后，印刷保護層之前這段時間有雜質(zhì)污染，成品通電時造成電蝕。(2)保護層有外傷或覆蓋不好，雜質(zhì)和水汽進入導(dǎo)致電蝕。
為進一步研究失效機理，尋求改善方向，對以上2種失效機理進行深入探討，選取a-原材、b-原材進行結(jié)構(gòu)分析與比對。圖4為電阻的結(jié)構(gòu)圖，電阻的金屬膜是以ni-cr合金濺鍍沉積而成的薄膜，基板為氧化鋁，保護層材料為環(huán)氧樹脂。
雜質(zhì)污染檢測
當陶瓷基體及金屬膜中含有k+、na+、ca2+、cl-等雜質(zhì)時，電解作用加快，阻值迅速增加，失效速度加快。為驗證a-ng金屬膜表面有無雜質(zhì)污染，對去除保護層后的金屬膜進行edx(horiba ex-250)成分分析，如圖5a、5b分別為缺失膜與正常膜區(qū)域的元素檢測結(jié)果，后者可見金屬膜ni、cr元素，未發(fā)現(xiàn)k+、na+、ca2+、cl-等雜質(zhì)元素，排除金屬膜表面雜質(zhì)污染導(dǎo)致電蝕的猜測。
電阻保護層剖析
保護層外觀形貌觀察
用sem對a-原材、b-原材保護層形貌進行觀察，如圖6a紅色箭頭所示，a-原材保護層表面有大量孔洞。如圖6b所示，b-原材保護層表面均勻致密。
電阻保護層表面結(jié)構(gòu)觀察
金屬膜缺失位于邊緣位置，對電阻去除正面端電極后觀察其邊緣結(jié)構(gòu)。如圖7a紅色框所示，a-原材邊緣陶瓷基材外露。比對可知：a-原材、b-原材保護層邊緣結(jié)構(gòu)設(shè)計不同，后者邊緣保護更充分。
電阻保護層內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察
對電阻進行微切片制樣，用sem觀察保護層內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)，再進行eds成分分析。如圖8a，a-原材保護層中間與兩端厚度差異明顯，中間局部可達62.64um，兩端厚度在10.58um~19.19um之間，內(nèi)部填充物顆粒粗大，其主要成份為c、o、mg、si。如圖8b，b-原材保護層相對較薄，中間與兩端無明顯差異，厚度約為32.75um，可見不同組分的兩層結(jié)構(gòu)，填充物顆粒細小，其主要成份分別為c、o、al、si和c、o、mg、al、si、cr、mn、cu。比對可知：a-原材保護層邊緣薄，且填充顆粒粗大，水汽易侵入，與失效發(fā)生在邊緣位置的現(xiàn)象相符。b-原材保護層結(jié)構(gòu)致密，且兩層結(jié)構(gòu)可更好的保護金屬膜免遭濕氣的侵入。
電阻hast能力比對
選取a-原材、b-原材各10pcs進行hast試驗，比對不同廠商電阻耐濕熱能力。把電阻焊接在測試板上，然后插入hast試驗箱，設(shè)置條件：130℃/85%rh/
0.12mpa/10v/96h。規(guī)格要求試驗前后電阻的阻值變化率(δr/r)≤±(0.5%+0.05ω)。測試結(jié)果如圖9所示，a-原材δr/r皆超出規(guī)格，其中1pcs測試開路，b-原材δr/r皆滿足規(guī)格要求。測試結(jié)果表明，a-原材耐濕熱能力差，其結(jié)果與保護層比對結(jié)果相對應(yīng)。a-原材保護層存在孔洞及邊緣保護不到位等缺陷，在高溫、高濕的環(huán)境條件下，金屬膜容易被濕氣侵入，在電負荷作用下發(fā)生電蝕，從而導(dǎo)致阻值漂移或開路。
本文從電阻失效分析著手，通過試驗?zāi)M探尋失效機理，并通過不同廠家電阻比對尋求改善方向，得出如下結(jié)論：
結(jié)論
1) 電阻失效的原因為金屬層缺失所致。
2) eos、hast試驗結(jié)果顯示：a-ng失效現(xiàn)象與hast試驗失效樣品一致。失效機理為電阻在高溫、高濕、直流負荷的作用下發(fā)生電蝕。
3) 對a-ng缺失膜與正常膜區(qū)域成份進行檢測，未發(fā)現(xiàn)k+、na+、ca2+、cl-等雜質(zhì)元素，排除金屬膜表面雜質(zhì)污染導(dǎo)致電蝕的猜測。
4) 對比a、b廠商電阻，a廠商電阻保護層存在空洞及邊緣保護不到位等缺陷，容易被濕氣侵入。通過hast比對電阻耐濕熱能力，進一步印證以上結(jié)論。為有效的提高電阻的耐濕熱性能，建議從電阻保護層的工藝、厚度以及材質(zhì)方面加以改善：a.選擇填充顆粒細小的材料，減少濕氣進入通道;b.調(diào)整保護層的厚度，使中間與邊緣厚度相對均勻;c.使用耐濕熱的保護材料。