緊隨其后中基偉業(yè)也推出號(hào)稱(chēng)全球最快的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，鎂光堪稱(chēng)推出速度為1gb/s的固態(tài)硬盤(pán)（用固態(tài)硬盤(pán)作陣列）。固態(tài)硬盤(pán)參數(shù)怎么看太多了,因?yàn)楣虘B(tài)硬與模式硬盤(pán)的存儲(chǔ)方式不同,固態(tài)硬盤(pán)pe次數(shù)原始值大那就是固態(tài)硬盤(pán)壽命≈（閃存擦寫(xiě)次數(shù)x固態(tài)硬盤(pán)容量）÷（寫(xiě)入放大系數(shù)x數(shù)據(jù)寫(xiě)入量），以面前主流的240gb的tlc固態(tài)硬盤(pán)為例，pe數(shù)據(jù)最保守也在1000次左右，而普通用戶(hù)每天正常數(shù)據(jù)寫(xiě)入量不超過(guò)30gb，所以根據(jù)公式240gb的tlc固態(tài)硬盤(pán)壽命大約在21年左右。
1、剛買(mǎi)的英特爾pro5400s固態(tài)硬盤(pán)擦平均擦除數(shù)這正常么?求解ssd的硬盤(pán)信息請(qǐng)以廠商工具為準(zhǔn)，看intel工具那只是一個(gè)保留數(shù)據(jù)項(xiàng)，還沒(méi)有定義。hdtune肯定是數(shù)據(jù)誤讀，實(shí)際情況下閃存平均擦除數(shù)最多就幾千。因?yàn)殚W存一般最多擦幾千次就不穩(wěn)定了，數(shù)據(jù)可能出錯(cuò)，擦幾萬(wàn)次肯定會(huì)廢掉的，任何閃存都無(wú)法擦到幾千萬(wàn)次。
2、固態(tài)硬盤(pán)的主要性能參數(shù)有哪些呢固態(tài)硬盤(pán)的好壞主要看性能參數(shù):分別為最大讀寫(xiě)速度,4kb隨機(jī)讀寫(xiě)數(shù)值,因?yàn)楣虘B(tài)硬與模式硬盤(pán)的存儲(chǔ)方式不同,尋道值基本上不存在,所以只需要看以上四個(gè)數(shù)值就可以了.如果4kb隨機(jī)讀寫(xiě)數(shù)值過(guò)值,最大讀寫(xiě)速度在高也沒(méi)有用.。讀寫(xiě)速度，然后詳細(xì)一點(diǎn)就是刻錄壽命了，其他的倒是沒(méi)有什么了。
3、固態(tài)硬盤(pán)參數(shù)怎么看太多了,我直接給你復(fù)制吧現(xiàn)有的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品有3.5英寸，2.5英寸，1.8英寸等多種類(lèi)型，容量一般為16~256gb，比一般的閃存盤(pán)（u盤(pán)）大。接口規(guī)格與傳統(tǒng)硬盤(pán)一致，有uata、sata、scsi等。在ces2008上，專(zhuān)業(yè)固態(tài)硬盤(pán)廠商bitmicronetworks展示了一款采用scsi接口的專(zhuān)業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)（見(jiàn)右圖）。
bitmicro透露，該產(chǎn)品每gb平均價(jià)格為10美元左右，大約是主流機(jī)械硬盤(pán)的5倍。朗科在2008年也推出了號(hào)稱(chēng)“國(guó)內(nèi)第一款”固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品。而憶正則宣稱(chēng)已于2007年就已推出國(guó)內(nèi)第一款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品。緊隨其后中基偉業(yè)也推出號(hào)稱(chēng)全球最快的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，鎂光堪稱(chēng)推出速度為1gb/s的固態(tài)硬盤(pán)（用固態(tài)硬盤(pán)作陣列）。ssd固態(tài)存儲(chǔ)的局限性雖然ssd比磁盤(pán)技術(shù)似乎有巨大的優(yōu)越性，但是也存在著一些缺點(diǎn)。
4、固態(tài)硬盤(pán)訪問(wèn)時(shí)間據(jù)測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)正常訪問(wèn)速度基本都在0.1秒以下，nvme接口甚至能低到0.03秒，而機(jī)械硬盤(pán)則要達(dá)到10秒以上。固態(tài)硬盤(pán)結(jié)構(gòu)上看就是一堆芯片和電子元器件的集合，在核心部件flashnand顆粒中數(shù)據(jù)也是存放在一個(gè)個(gè)“小格子”中，但非易失性半導(dǎo)體芯片的全電子工作方式帶來(lái)極快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)時(shí)間（即尋道時(shí)間和潛伏時(shí)間之和）。固態(tài)硬盤(pán)訪問(wèn)時(shí)間為0.1秒固態(tài)硬盤(pán)正常訪問(wèn)速度基本都在0.1秒以下，nvme接口甚至能低到0.03秒，而機(jī)械硬盤(pán)則要達(dá)到10秒以上。
5、固態(tài)硬盤(pán)pe次數(shù)原始值大那就是固態(tài)硬盤(pán)壽命≈（閃存擦寫(xiě)次數(shù)x固態(tài)硬盤(pán)容量）÷（寫(xiě)入放大系數(shù)x數(shù)據(jù)寫(xiě)入量），以面前主流的240gb的tlc固態(tài)硬盤(pán)為例，pe數(shù)據(jù)最保守也在1000次左右，而普通用戶(hù)每天正常數(shù)據(jù)寫(xiě)入量不超過(guò)30gb，所以根據(jù)公式240gb的tlc固態(tài)硬盤(pán)壽命大約在21年左右。
6、固態(tài)硬盤(pán)參數(shù)第一：主控主控芯片是固態(tài)硬盤(pán)的大腦，其作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存芯片上的負(fù)荷，二則是承擔(dān)了整個(gè)數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)，連接閃存芯片和外部sata接口。不同的主控之間能力相差非常大，在數(shù)據(jù)處理能力，算法，對(duì)閃存芯片的讀取寫(xiě)入控制上會(huì)有非常大的不同，直接會(huì)導(dǎo)致固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品在性能上差距高達(dá)數(shù)十倍。目前主流的主控有：intel主控、andforce主控、marvell主控、三星主控等。
而這三者性能好壞與其儲(chǔ)存電壓信號(hào)的復(fù)雜程度密不可分。tlc的電壓組合由3位二進(jìn)制構(gòu)成，即有2的3次方，共8種組合，而mlc的電壓組合是由2位2進(jìn)制構(gòu)成，即有2的2次方共4種組合，這兩者一比較，我們不難看出由于tlc需要更精確的控制電壓，那么寫(xiě)入數(shù)據(jù)當(dāng)然也會(huì)花費(fèi)更多的時(shí)間;同樣的，由于需要識(shí)別8種信號(hào)，而mlc只需要識(shí)別4種，所以tlc會(huì)花更多時(shí)間來(lái)讀取數(shù)據(jù)。